Besi ถูกกดดันจากความเสี่ยง Hybrid Bonding เลื่อนใช้จริงใน HBM

Besi ถูกกดดันจากความเสี่ยง Hybrid Bonding เลื่อนใช้จริงใน HBM

 

Besi ปรับตัวลงแรง หลังมีรายงานจาก ZDNet Korea ว่า Samsung และ SK Hynix อาจชะลอการนำเทคโนโลยี Hybrid Bonding มาใช้จริงใน HBM รุ่นถัดไป เนื่องจากความจำเป็นด้านการลดความหนา และ การเพิ่มการระบายความร้อน อาจไม่เร่งด่วนเท่าที่ตลาดเคยคาดไว้ โดยก่อนหน้านี้ Besi ระบุในงาน Investor Day เดือน มิ.ย.ว่า Hybrid Bonding ยังอยู่ในแผนเริ่มผลิตกับ HBM4E ในปี 2027 และจะถูกใช้มากขึ้นใน HBM5 และ HBM แบบสั่งผลิตเฉพาะลูกค้า แต่ข่าวล่าสุดทำให้ตลาดกังวลว่าแรงขับเคลื่อนการเติบโตสำคัญของบริษัทอาจเลื่อนออกไป

ประเด็นนี้กระทบ Besi โดยตรง เพราะบริษัทเป็นผู้นำด้านเครื่องจักร Hybrid Bonding ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเชื่อมชิปเข้าด้วยกันในระดับละเอียดมาก ช่วยลดช่องว่างระหว่างชั้นหน่วยความจำ ทำให้ HBM บางลง ใช้พลังงานดีขึ้น ระบายความร้อนได้ดีขึ้น และรองรับจำนวนจุดเชื่อมต่อข้อมูลที่มากขึ้น อย่างไรก็ดี หากมาตรฐานความหนาของ HBM ถูกผ่อนคลาย และผู้ผลิตหน่วยความจำสามารถแก้ปัญหาความร้อนด้วยวิธีอื่น เช่น Samsung ใช้ Heat Path Block และ SK Hynix ใช้ iHBM ซึ่งอาจทำให้ความจำเป็นในการเปลี่ยนจาก TC Bonding ไปสู่ Hybrid Bonding ลดลง

 

เกิดอะไรขึ้นกับ Besi?

 

ประเด็น	รายละเอียด
ราคาหุ้น Besi	ลดลงมากสุดราว 7.7% หลังข่าวจาก ZDNet Korea
สาเหตุหลัก	ตลาดกังวลว่า Samsung และ SK Hynix อาจชะลอการใช้ Hybrid Bonding ใน HBM
หุ้นที่ถูกกระทบตาม	SUSS MicroTec ลดลงราว 4.2%, ASMPT ลดลงราว 4.6%
ความสำคัญต่อ Besi	Hybrid Bonding ถูกมองเป็นหนึ่งในแรงขับเคลื่อนการเติบโตระยะต่อไปของบริษัท
ภาพรวมปีนี้	แม้ราคาหุ้นอ่อนตัวจากข่าวนี้ แต่ Besi ยังปรับขึ้นมากกว่า 90% ตั้งแต่ต้นปี

 

Hybrid Bonding คืออะไร และทำไมสำคัญ?

 

Hybrid Bonding คือเทคโนโลยีการเชื่อมชิปหรือชั้นหน่วยความจำเข้าด้วยกันโดยตรงผ่านทองแดง แทนการใช้ปุ่มเชื่อมต่อและวัสดุรองรับแบบเดิมใน TC Bonding

 

ประเด็นเปรียบเทียบ	TC Bonding	Hybrid Bonding
วิธีเชื่อมต่อ	ใช้ Bump และ Underfill	เชื่อมทองแดงโดยตรง
ความหนาของชิป	หนากว่า	บางกว่า
การระบายความร้อน	มีข้อจำกัดจากวัสดุคั่นกลาง	ดีขึ้นจากการลดช่องว่างและวัสดุคั่นกลาง
ความหนาแน่นของจุดเชื่อมต่อ	รองรับได้ระดับหนึ่ง	รองรับได้สูงกว่า
ความเหมาะสม	HBM รุ่นปัจจุบัน	HBM รุ่นอนาคตที่มีจำนวนชั้นและ I/O สูงขึ้น
ต้นทุนและความยากในการผลิต	ต่ำกว่าและพร้อมผลิตมากกว่า	สูงกว่าและยังต้องพัฒนาเพิ่ม

 

ข้อดีหลักของ Hybrid Bonding คือ

 

1. ทำให้ชิปบางลง เพราะไม่ต้องใช้โครงสร้างเชื่อมต่อแบบเดิม
2. ช่วยให้ระบายความร้อนได้ดีขึ้น เพราะลดวัสดุที่นำความร้อนได้ไม่ดี
3. รองรับจำนวนจุดเชื่อมต่อข้อมูลที่หนาแน่นขึ้น
4. เหมาะกับ HBM รุ่นถัดไปที่ต้องการส่งข้อมูลเร็วขึ้นและซ้อนชั้นมากขึ้น
5. ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน ซึ่งสำคัญต่อชิป AI และศูนย์ข้อมูล

กล่าวง่ายๆ คือ Hybrid Bonding เป็นเทคโนโลยีที่ช่วยให้ HBM รุ่นใหม่ บางลง เร็วขึ้น และเชื่อมต่อข้อมูลได้หนาแน่นขึ้น แต่ต้นทุนและความยากในการผลิตยังสูงกว่าวิธีเดิม

 

ทำไม Samsung และ SK Hynix อาจยังไม่รีบใช้ Hybrid Bonding?

เหตุผลหลักคือความจำเป็นในการใช้ Hybrid Bonding อาจยังไม่เร่งด่วนเท่าที่ตลาดเคยคาดไว้ โดยมีปัจจัยสำคัญดังนี้

1) มาตรฐานความหนาของ HBM มีแนวโน้มผ่อนคลายขึ้น

เดิมตลาดมองว่า HBM รุ่นถัดไปต้องบางมาก เพื่อให้สามารถซ้อนชิปได้หลายชั้นภายใต้ข้อจำกัดด้านพื้นที่ แต่ล่าสุดมาตรฐานความหนาของ HBM มีแนวโน้มถูกผ่อนคลาย เช่น HBM4 เพิ่มความหนาจากเดิม และมีรายงานว่า HBM5 อาจได้รับการผ่อนคลายความหนาเพิ่มเติม หากมาตรฐานความหนาผ่อนคลายขึ้น ผู้ผลิตก็ไม่จำเป็นต้องลดระยะห่างระหว่างชั้นของชิปอย่างสุดขั้ว ทำให้ยังสามารถใช้ TC Bonding ต่อไปได้ในระยะสั้น

2) HBM4E อาจยังเน้นรุ่น 12 ชั้น มากกว่า 16 ชั้น

เดิมตลาดคาดว่า HBM4E แบบ 16 ชั้นจะเป็นจุดเริ่มต้นสำคัญของ Hybrid Bonding แต่รายงานล่าสุดระบุว่า ความต้องการ HBM4E แบบ 16 ชั้นจากลูกค้าหลักอาจยังไม่ชัดเจน และ HBM4E รุ่น 12 ชั้นอาจยังเป็นสินค้าหลักในช่วงแรก หากจำนวนชั้นยังไม่เพิ่มขึ้นมาก ความจำเป็นในการเปลี่ยนเทคโนโลยีเชื่อมต่อก็ลดลง

3) ปัญหาความร้อนอาจแก้ด้วยวิธีอื่นได้

หนึ่งในข้อดีของ Hybrid Bonding คือช่วยระบายความร้อนได้ดีขึ้น แต่ Samsung และ SK Hynix กำลังพัฒนาแนวทางอื่นเพื่อจัดการความร้อน เช่น HPB ของ Samsung และ iHBM ของ SK Hynix ซึ่งเป็นการเพิ่มชิ้นส่วนช่วยระบายความร้อนบริเวณข้างชิป HBM หากวิธีเหล่านี้ใช้งานได้จริง ผู้ผลิตหน่วยความจำอาจเลือกทางออกที่เสี่ยงต่ำกว่าและใช้เทคโนโลยีเดิมต่อไปก่อน

4) TC Bonding ยังเพียงพอในระยะสั้น

แม้ TC Bonding จะมีข้อจำกัดในระยะยาว แต่สำหรับ HBM รุ่นปัจจุบันและรุ่นถัดไปบางส่วน เทคโนโลยีนี้ยังอาจตอบโจทย์ได้ โดยเฉพาะหากจำนวนชั้นและจำนวนจุดรับส่งข้อมูลยังไม่ได้เพิ่มขึ้นมากเกินไป การเปลี่ยนไปใช้ Hybrid Bonding จึงอาจถูกเลื่อนออกไปเพื่อควบคุมต้นทุนและลดความเสี่ยงด้านการผลิต

 

มุมมองของ INVX

 

แล้ว Hybrid Bonding ยังมีอนาคตหรือไม่?

เรามองว่า ยังมีอนาคต แต่จังหวะการใช้งานจริงอาจช้ากว่าที่ตลาดคาดไว้

แม้ Samsung และ SK Hynix อาจยังไม่เร่งใช้ Hybrid Bonding ใน HBM4E แต่ทั้งสองบริษัทยังมีแนวโน้มเดินหน้า R&D ต่อ เพราะในระยะกลางถึงยาว HBM จะต้องเพิ่มจำนวนจุดรับส่งข้อมูลหรือ I/O มากขึ้นอย่างต่อเนื่อง ตัวอย่างเช่น HBM4 มีจำนวน I/O เพิ่มขึ้นเป็น 2,048 จุด และมีการพูดถึงความเป็นไปได้ที่ HBM5E อาจเพิ่มขึ้นไปสู่ระดับ 4,096 จุด

เมื่อจำนวน I/O เพิ่มขึ้นมาก ระยะห่างระหว่างจุดเชื่อมต่อจะเล็กลงจนเทคโนโลยีเดิมอาจทำได้ยากขึ้น ในจุดนั้น Hybrid Bonding จะกลับมามีความจำเป็นมากขึ้น เพราะสามารถรองรับการเชื่อมต่อที่หนาแน่นกว่า TC Bonding

 

กลุ่ม / บริษัท	ผลกระทบที่คาด	เหตุผล
Besi	ลบระยะสั้น	เป็นผู้เล่นหลักในเครื่องจักร Hybrid Bonding ตลาดคาดหวังรายได้จาก HBM สูง อย่างไรก็ดี ระยะยาวยังมีโอกาส หาก HBM รุ่นถัดไปจำเป็นต้องใช้ Hybrid Bonding ในการผลิตจำนวนมาก
SUSS MicroTec	ลบระยะสั้น	อยู่ในห่วงโซ่เครื่องจักรบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง อย่างไรก็ตาม หากการลงทุนด้านบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงยังเดินหน้าต่อในอุตสาหกรรมชิป AI บริษัทอาจยังมีโอกาสในระยะกลาง
ASMPT	ลบระยะสั้น	มีความเกี่ยวข้องกับเครื่องจักรและกระบวนการบรรจุภัณฑ์ชิป แต่ธุรกิจของบริษัทมีความหลากหลายกว่า จึงอาจได้รับผลกระทบแตกต่างจาก Besi ขึ้นอยู่กับสัดส่วนรายได้ที่เกี่ยวข้องกับกระบวนการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง

 

 

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน