SK Hynix ส่งสัญญาณว่าเทคโนโลยี Hybrid Bonding อาจยังไม่พร้อมสำหรับ HBM4E และมีแนวโน้มเลื่อนไปใช้ตั้งแต่ HBM5 เป็นต้นไป สร้างแรงกดดันระยะสั้นต่อผู้ผลิตอุปกรณ์ที่คาดหวังรายได้จากเทคโนโลยีนี้ เช่น BESI อย่างไรก็ตาม การเพิ่มจำนวนชั้น ความเร็ว และความจุของ HBM ทำให้ข้อจำกัดด้านความร้อนและพื้นที่รุนแรงขึ้น จึงมองว่า Hybrid Bonding และแพ็กเกจแบบ 3 มิติยังเป็นทิศทางสำคัญในระยะยาว เพียงแต่จังหวะการใช้งานเชิงพาณิชย์ช้ากว่าที่ตลาดเคยคาด
1 เทคโนโลยี Hybrid Bonding คืออะไร?
Hybrid Bonding คือเทคโนโลยีการเชื่อมชิปหรือเวเฟอร์เข้าหากันโดยตรงผ่านผิวสัมผัสและจุดเชื่อมทองแดงขนาดเล็กมาก แทนการใช้จุดบัดกรีแบบเดิม ทำให้เชื่อมต่อได้หนาแน่นขึ้น ระยะสัญญาณสั้นลง และระบายความร้อนได้ดีขึ้น จึงเหมาะกับ HBM รุ่นถัดไปที่ต้องเพิ่มจำนวนชั้นและแบนด์วิดท์สูงขึ้น โดย SK Hynix มองว่าเทคโนโลยีนี้จะมีบทบาทสำคัญเมื่อเข้าสู่ HBM5 มากกว่า HBM4E.
2. SK Hynix ชะลอการใช้ Hybrid Bonding จาก HBM4E ไป HBM5
· SK Hynix ระบุในงาน Hot Chips 2026 ว่า Hybrid Bonding มีแนวโน้มยังไม่พร้อมสำหรับ HBM4E และอาจเริ่มถูกนำมาใช้ตั้งแต่ HBM5 เป็นอย่างเร็ว ส่งผลให้ความคาดหวังต่อการเปลี่ยนเทคโนโลยีแพ็กเกจถูกเลื่อนออกไป
· ข่าวดังกล่าวกดดันหุ้น BE Semiconductor Industries (BESI) ซึ่งปรับตัวลงสูงสุด 5.2% เนื่องจากบริษัทเป็นหนึ่งในผู้ผลิตเครื่องจักรสำคัญสำหรับ Hybrid Bonding และตลาดเคยคาดว่าการใช้งานใน HBM จะเกิดเร็วกว่าเดิม
· ความกังวลนี้ไม่ใช่เรื่องใหม่ โดยหุ้น BESI ลดลงราว 38% จากจุดสูงสุดเดือน มิ.ย. หลังตลาดเริ่มตั้งคำถามว่าต้นทุนของ Hybrid Bonding อาจทำให้ผู้ผลิตหน่วยความจำยังไม่รีบนำมาใช้
3. MR-MUF ยังรองรับ HBM รุ่นปัจจุบันได้ ทำให้ไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนทันที
· ปัจจุบัน SK Hynix ใช้เทคโนโลยี MR-MUF เป็นหลักในการประกอบ HBM ซึ่งมีข้อดีด้านกำลังการผลิตสูงและการระบายความร้อนที่ดี แม้จะมีข้อจำกัดเรื่องการโก่งตัวของชิปและการเติมช่องว่างระหว่างชั้น
· บริษัทสามารถพัฒนา MR-MUF ให้รองรับ HBM3E แบบ 16 ชั้น ได้แล้ว โดยลดความหนาของชิป ลดช่องว่างระหว่างชั้น และลดระยะห่างของจุดเชื่อมต่อ ทำให้เทคโนโลยีเดิมยังมีพื้นที่พัฒนาต่อก่อนจำเป็นต้องเปลี่ยนไป Hybrid Bonding
· สำหรับ HBM4 รุ่น 16 ชั้น ข้อจำกัดสำคัญคือความสูงรวมของแพ็กเกจที่ประมาณ 775 ไมครอน ทำให้การเพิ่มจำนวนชั้นต่อไปต้องลดความหนาของชิปและช่องว่างมากขึ้น ซึ่งเป็นเหตุผลที่ Hybrid Bonding จะมีความจำเป็นมากขึ้นใน HBM รุ่นถัดไป
4. ความต้องการ Hybrid Bonding ไม่ได้หายไป แต่ถูกเลื่อนออกไป
· ปัญหาหลักของ HBM รุ่นใหม่คือการใช้พลังงาน ความร้อน และพื้นที่ของช่องเชื่อมต่อ TSV ที่เพิ่มขึ้นตามความต้องการแบนด์วิดท์ โดย SK Hynix ระบุว่าการเพิ่มแบนด์วิดท์เกือบเท่าตัวทุกสองรุ่นสร้างภาระด้านความร้อนเพิ่มขึ้นราว 2.2 เท่า
· Hybrid Bonding สามารถช่วยให้ระยะเชื่อมต่อแคบลง ใช้ชิปที่หนาขึ้นได้ และระบายความร้อนได้ดีขึ้น โดยข้อมูลของ SK Hynix ระบุว่าความต้านทานความร้อนอาจลดลงประมาณ 35% แม้จำนวนชั้นเพิ่มขึ้น
· ดังนั้น การชะลอครั้งนี้จึงสะท้อนว่า MR-MUF ยังเพียงพอสำหรับ HBM4E มากกว่าจะหมายความว่า Hybrid Bonding สูญเสียความสำคัญ โดยเมื่อ HBM ขยับไปมากกว่า 16–20 ชั้น ความจำเป็นของเทคโนโลยีดังกล่าวมีแนวโน้มเพิ่มขึ้นอีกครั้ง
5. SK Hynix มองไกลไปถึง HBM แบบ 3 มิติ และการรวมหน่วยความจำกับชิป AI ใกล้ขึ้น
· แผนระยะยาวของ SK Hynix ไม่ได้หยุดอยู่แค่การเพิ่มจำนวนชั้นของ HBM แต่กำลังมุ่งสู่โครงสร้าง 3 มิติ ซึ่งในอนาคตอาจวาง HBM ซ้อนอยู่บนชิปประมวลผลโดยตรง เพื่อลดระยะการส่งข้อมูลและเพิ่มประสิทธิภาพระบบ
· บริษัทกำลังพัฒนาแนวทางลดจุดความร้อนเฉพาะตำแหน่งผ่านเทคโนโลยี I-HBM ซึ่งสามารถลดความต้านทานความร้อนเพิ่มเติมได้มากกว่า 30% สะท้อนว่าการจัดการความร้อนกำลังกลายเป็นหัวใจสำคัญพอๆ กับการเพิ่มความเร็วของหน่วยความจำ
· นอกจากนี้ SK Hynix ยังแสดงเทคโนโลยีแพ็กเกจ 2.5 มิติหลายรูปแบบ รวมถึง Intel EMIB และตระกูล CoWoS สะท้อนว่าอุตสาหกรรมมีแนวโน้มใช้หลายเทคโนโลยีร่วมกัน มากกว่าจะพึ่งวิธีใดวิธีหนึ่ง
หุ้นเด่นจากเทคโนโลยีใหม่ของ SK Hynix
|
ช่วงเทคโนโลยี |
บริษัทที่ได้ประโยชน์ |
เหตุผล |
|
MR-MUF / HBM4–HBM4E |
Hanmi Semiconductor |
ได้ประโยชน์ชัดจากเครื่อง TC Bonder สำหรับการซ้อนชิป HBM โดยล่าสุดได้คำสั่งซื้อ HBM4 จาก SK Hynix มูลค่า KRW44.2bn |
|
ASMPT |
เป็นอีกผู้ผลิตเครื่อง Bonding ที่ SK Hynix ใช้ เพื่อกระจายฐานผู้ผลิตอุปกรณ์ จึงได้ประโยชน์จากการเพิ่มกำลังผลิต HBM |
|
|
Hanwha Semitech |
เป็นผู้เล่น TC Bonder อีกรายที่ SK Hynix เพิ่มเข้ามาในฐานผู้ผลิต ทำให้ได้ประโยชน์จากการเพิ่มกำลังผลิต HBM4 |
|
|
iHBM / การจัดการความร้อน |
ผู้ผลิตวัสดุระบายความร้อนและวัสดุแพ็กเกจ |
iHBM ฝังวัสดุนำความร้อนแต่ไม่นำไฟฟ้าไว้ในแพ็กเกจ ทำให้ความต้องการวัสดุจัดการความร้อนมีความสำคัญเพิ่มขึ้น โดย SK Hynix ระบุว่าสามารถลดความต้านทานความร้อนได้มากกว่า 30% |
|
Hybrid Bonding / HBM5 |
BESI |
เป็นหนึ่งในผู้ได้ประโยชน์หลักเมื่อ Hybrid Bonding เริ่มใช้จริง เพราะมีเครื่องจักรสำหรับเชื่อมเวเฟอร์/ชิปแบบความหนาแน่นสูง แต่รายได้อาจถูกเลื่อนออกไปจาก HBM4E ไป HBM5 |
|
Applied Materials (AMAT) |
มีเทคโนโลยีกระบวนการเตรียมพื้นผิวและการผลิตที่ใช้ร่วมกับ Hybrid Bonding และมีการพัฒนาโซลูชันร่วมกับ BESI สำหรับ HBM รุ่นใหม่ |
|
|
ASMPT |
มีโอกาสขยายจาก TC Bonding ไปสู่เครื่องจักรแพ็กเกจขั้นสูงและ Hybrid Bonding ในอนาคต |
|
|
2.5D / 3D Integration |
Intel |
SK Hynix กำลังประเมิน EMIB สำหรับการเชื่อม HBM กับชิปประมวลผล เป็นทางเลือกเพิ่มเติมจาก CoWoS หากนำไปใช้จริงจะช่วยเพิ่มปริมาณงานแพ็กเกจขั้นสูงของ Intel |
|
TSMC |
CoWoS ยังคงเป็นแพลตฟอร์มหลักในการนำ HBM มารวมกับ GPU/AI Accelerator และการเพิ่ม HBM ต่อชิปยิ่งหนุนความต้องการแพ็กเกจขั้นสูง |
|
|
BESI / AMAT |
หากอุตสาหกรรมเดินไปสู่การวาง HBM ซ้อนใกล้หรือบนตัวประมวลผลโดยตรง ความต้องการ Hybrid Bonding และการเชื่อมต่อแบบละเอียดจะเพิ่มขึ้นมาก |
มุมมองของ InnovestX
- เรามองประเด็นนี้ เป็นลบระยะสั้นต่อ BESI และผู้ผลิตเครื่องจักรที่มีรายได้ผูกกับการเร่งใช้ Hybrid Bonding เพราะจุดเริ่มต้นของรายได้จาก HBM อาจถูกเลื่อนไปถึงยุค HBM5 ขณะที่ผู้ผลิตที่เกี่ยวข้องกับเทคโนโลยีแพ็กเกจปัจจุบันอย่าง MR-MUF และกระบวนการประกอบ HBM ยังมีโอกาสได้รับคำสั่งซื้อต่อเนื่องนานขึ้น อย่างไรก็ตาม ภาพระยะกลาง-ยาวยังเป็นบวกต่อห่วงโซ่แพ็กเกจขั้นสูง เพราะการเพิ่มจำนวนชั้น แบนด์วิดท์ และความหนาแน่นของ HBM จะทำให้ Hybrid Bonding รวมถึงโครงสร้าง 3 มิติกลายเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงได้ยาก
- ถ้ามองจาก เทคโนโลยีใหม่ของ SK Hynix ตั้งแต่ MR-MUF → iHBM → Hybrid Bonding → 3D Integration ผู้ได้ประโยชน์ในห่วงโซ่จะแตกต่างกันตามช่วงเวลา โดยระยะสั้นยังได้ประโยชน์จากการยืดอายุเทคโนโลยีเดิม ส่วน Hybrid Bonding จะเด่นขึ้นเมื่อเข้าสู่ HBM5 คือ 1) ระยะสั้น 2026–28: Hanmi Semiconductor, ASMPT, Hanwha Semitech เพราะ SK Hynix ยังใช้ MR-MUF และ TC Bonding ต่อ ทำให้เครื่องจักรเดิมมีอายุการใช้งานยาวกว่าที่ตลาดเคยคาด โดยเฉพาะ Hanmi ที่มีคำสั่งซื้อ HBM4 ยืนยันแล้ว และความต้องการ TC Bonder ยังเพิ่มตาม HBM แบบ 12–16 ชั้น 2) ระยะกลาง-ยาวตั้งแต่ HBM5: BESI และ AMAT น่าสนใจที่สุด เพราะเมื่อจำนวนชั้น HBM สูงขึ้น ข้อจำกัดด้านความร้อน ความหนา และระยะเชื่อมต่อจะทำให้ Hybrid Bonding มีความจำเป็นมากขึ้น แม้การนำมาใช้จะถูกเลื่อนออกไปก็ตาม
ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว
INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน
