Kioxia เริ่มส่งตัวอย่าง 10th-generation BiCS Flash หรือ 3D NAND รุ่นใหม่สำหรับ SSD ศูนย์ข้อมูลและงาน AI โดยมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้นทั้งการเขียนและอ่านข้อมูล ผ่านเทคโนโลยี CBA ที่แยกผลิตวงจรควบคุมกับเซลล์หน่วยความจำแล้วนำมาประกบกัน ประเด็นนี้สะท้อนว่า AI กำลังขยายความต้องการจากชิปประมวลผลและ HBM ไปสู่ระบบจัดเก็บข้อมูลความจุสูงและประหยัดพลังงานมากขึ้น จึงเป็นบวกต่อ Kioxia (KIOXIA23) และห่วงโซ่ของอุปทาน ได้แก่ Japan Material, Powertech Technology, Siltronic, KLA, Amkor Technology, Kanto Denka Kogyo, Hirata, Phison Electronics, Quest และ Foxstar เป็นต้น
Kioxia เริ่มส่งตัวอย่างหน่วยความจำแฟลชรุ่นที่ 10 (10th-generation BiCS Flash)
Kioxia เริ่มส่งตัวอย่างหน่วยความจำแฟลช 3D NAND รุ่นที่ 10 หรือ 10th-generation BiCS Flash ให้ลูกค้ากลุ่มศูนย์ข้อมูล AI แล้ว โดยผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ถูกออกแบบมาเพื่อรองรับความต้องการจัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ ความเร็วในการรับส่งข้อมูลที่สูงขึ้น และการใช้พลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้น ซึ่งเป็นคุณสมบัติที่จำเป็นต่อศูนย์ข้อมูลยุคใหม่ โดยเฉพาะงานที่เกี่ยวข้องกับ AI, AI agent, หุ่นยนต์ และระบบประมวลผลข้อมูลขนาดใหญ่
อะไรคือ 10th-generation BiCS Flash?
10th-generation BiCS Flash คือหน่วยความจำ 3D NAND รุ่นใหม่ของ Kioxia ที่พัฒนาต่อจากเทคโนโลยีรุ่นก่อน โดยเพิ่มจำนวนชั้นของหน่วยความจำเป็น 332 ชั้น ทำให้สามารถบรรจุข้อมูลต่อพื้นที่ซิลิคอนได้มากขึ้น ขณะที่ยังเพิ่มความเร็วและลดการใช้พลังงานไปพร้อมกัน
ชิปรุ่นนี้เป็น 1Tb TLC NAND ซึ่งเหมาะสำหรับนำไปใช้ใน SSD ขององค์กรและศูนย์ข้อมูล โดยเฉพาะกลุ่มที่ต้องการทั้งความจุสูง ความเร็วสูง และต้นทุนพลังงานที่ลดลง Kioxia ระบุว่าผลิตภัณฑ์นี้จะถูกผลิตที่โรงงาน Kitakami Fab2 ในจังหวัดอิวาเตะ ประเทศญี่ปุ่น ซึ่งเป็นฐานการผลิตสำคัญสำหรับรองรับความต้องการหน่วยความจำจากตลาด AI
ดีกว่าเดิมอย่างไร?
จุดเด่นของ NAND รุ่นใหม่นี้อยู่ที่การยกระดับทั้ง ความจุ ความเร็ว และประสิทธิภาพด้านพลังงาน ในเวลาเดียวกัน
เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน Kioxia ระบุว่า 10th-generation BiCS Flash มีความเร็วเชื่อมต่อ NAND ที่ 4.8 Gb/s ดีขึ้น 33% จากรุ่นที่ 8 ขณะที่ความหนาแน่นของข้อมูลเพิ่มขึ้น 59% จากการซ้อนชั้นเป็น 332 ชั้น และการปรับปรุงโครงสร้างด้านข้างของเซลล์หน่วยความจำ
นอกจากนี้ ประสิทธิภาพด้านพลังงานยังดีขึ้น โดยการเขียนข้อมูลดีขึ้น 18% และการอ่านข้อมูลดีขึ้น 30% ซึ่งช่วยลดภาระการใช้ไฟฟ้าในศูนย์ข้อมูลและโครงสร้างพื้นฐานขององค์กร
อีกหนึ่งเทคโนโลยีสำคัญคือ CBA หรือ CMOS directly Bonded to Array ซึ่งเป็นการผลิตส่วนเซลล์หน่วยความจำและวงจรควบคุมแยกกัน แล้วนำมาประกบเข้าด้วยกัน วิธีนี้ช่วยให้แต่ละส่วนถูกผลิตในสภาวะที่เหมาะสมกว่าเดิม ส่งผลให้ประสิทธิภาพของชิปดีขึ้น ทั้งในด้านความเร็ว ความหนาแน่น และการใช้พลังงาน
เอาไปใช้ทำอะไร?
การใช้งานหลักของ NAND รุ่นใหม่นี้คือ SSD สำหรับองค์กรและศูนย์ข้อมูล โดยเฉพาะศูนย์ข้อมูลที่รองรับงาน AI ซึ่งมีความต้องการจัดเก็บและเรียกใช้ข้อมูลจำนวนมากอย่างต่อเนื่อง
ในอดีต NAND มักถูกมองว่าเกี่ยวข้องกับสมาร์ตโฟน พีซี และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลทั่วไปเป็นหลัก แต่ในยุค AI บทบาทของ NAND กำลังขยายไปสู่โครงสร้างพื้นฐานระดับศูนย์ข้อมูลมากขึ้น เพราะระบบ AI ต้องจัดเก็บข้อมูลฝึกโมเดล ข้อมูลผู้ใช้งาน ข้อมูลภาพ เสียง วิดีโอ และข้อมูลเชิงโครงสร้างจำนวนมาก นอกจากนี้ การใช้งาน AI agent และหุ่นยนต์ยังทำให้ความต้องการอ่าน-เขียนข้อมูลแบบต่อเนื่องเพิ่มขึ้น
ดังนั้น NAND รุ่นใหม่ของ Kioxia จึงไม่ได้เป็นเพียงการอัปเกรดสินค้าเดิม แต่เป็นการปรับตำแหน่งธุรกิจจากตลาดอุปกรณ์ผู้บริโภค ไปสู่ตลาดศูนย์ข้อมูลที่มีมูลค่าสูงกว่า และมีความเชื่อมโยงกับการลงทุน AI ในระยะยาว
กลยุทธ์ของ Kioxia: เดินสองทางทั้งต้นทุนและประสิทธิภาพ
Kioxia ใช้กลยุทธ์แบบสองแกน โดยยังเดินหน้าผลิต 9th-generation BiCS Flash ซึ่งเน้นต้นทุนการผลิตที่คุ้มค่า ควบคู่กับ 10th-generation BiCS Flash ที่เน้นความจุสูงและประสิทธิภาพสูง แนวทางนี้ช่วยให้บริษัทสามารถรองรับลูกค้าได้หลายกลุ่ม ทั้งลูกค้าที่ให้ความสำคัญกับต้นทุน และลูกค้าที่ต้องการประสิทธิภาพสูงสำหรับงาน AI
กลยุทธ์นี้มีความสำคัญ เพราะตลาดหน่วยความจำมีลักษณะเป็นวัฏจักร ราคาสามารถเปลี่ยนแปลงได้เร็ว หากบริษัทเร่งลงทุนในสินค้ารุ่นใหม่เพียงอย่างเดียว อาจเผชิญความเสี่ยงด้านต้นทุนและกำลังผลิต แต่การมีทั้งสินค้ารุ่นที่คุ้มค่าด้านต้นทุนและสินค้ารุ่นประสิทธิภาพสูง ช่วยให้ Kioxia บริหารความเสี่ยงได้ยืดหยุ่นมากขึ้น
มุมมองของ INVX
ภาพรวมเป็นบวกต่อกลุ่มหน่วยความจำ โดยเฉพาะ NAND และ SSD สำหรับศูนย์ข้อมูล เพราะสะท้อนว่า AI ไม่ได้หนุนแค่ HBM หรือ GPU แต่ยังขยายไปยังระบบจัดเก็บข้อมูลด้วย ซึ่งเป็นบวกต่อ Kioxia (KIOXIA23) และ suppliers ในห่วงโซ่ NAND/SSD เพราะการผลิต NAND รุ่นใหม่ต้องใช้ทั้งวัสดุ เคมีภัณฑ์ อุปกรณ์ กระบวนการผลิต และชิ้นส่วนประกอบที่ซับซ้อนมากขึ้น โดย suppliers ได้แก่ Japan Material, Powertech Technology, Siltronic, KLA, Amkor Technology, Kanto Denka Kogyo, Hirata, Phison Electronics, Quest และ Foxstar ซึ่งมีความเชื่อมโยงกับการผลิตหรือการประกอบทดสอบหน่วยความจำของ Kioxia
ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว
INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน
