SK Hynix จะชะลอ Hybrid Bonding จนถึง HBM5 แต่ทิศทางแพ็กเกจขั้นสูงยังชัด

SK Hynix ส่งสัญญาณว่าเทคโนโลยี Hybrid Bonding อาจยังไม่พร้อมสำหรับ HBM4E และมีแนวโน้มเลื่อนไปใช้ตั้งแต่ HBM5 เป็นต้นไป สร้างแรงกดดันระยะสั้นต่อผู้ผลิตอุปกรณ์ที่คาดหวังรายได้จากเทคโนโลยีนี้ เช่น BESI อย่างไรก็ตาม การเพิ่มจำนวนชั้น ความเร็ว และความจุของ HBM ทำให้ข้อจำกัดด้านความร้อนและพื้นที่รุนแรงขึ้น จึงมองว่า Hybrid Bonding และแพ็กเกจแบบ 3 มิติยังเป็นทิศทางสำคัญในระยะยาว เพียงแต่จังหวะการใช้งานเชิงพาณิชย์ช้ากว่าที่ตลาดเคยคาด

1 เทคโนโลยี Hybrid Bonding คืออะไร?

Hybrid Bonding คือเทคโนโลยีการเชื่อมชิปหรือเวเฟอร์เข้าหากันโดยตรงผ่านผิวสัมผัสและจุดเชื่อมทองแดงขนาดเล็กมาก แทนการใช้จุดบัดกรีแบบเดิม ทำให้เชื่อมต่อได้หนาแน่นขึ้น ระยะสัญญาณสั้นลง และระบายความร้อนได้ดีขึ้น จึงเหมาะกับ HBM รุ่นถัดไปที่ต้องเพิ่มจำนวนชั้นและแบนด์วิดท์สูงขึ้น โดย SK Hynix มองว่าเทคโนโลยีนี้จะมีบทบาทสำคัญเมื่อเข้าสู่ HBM5 มากกว่า HBM4E.

2. SK Hynix ชะลอการใช้ Hybrid Bonding จาก HBM4E ไป HBM5

· SK Hynix ระบุในงาน Hot Chips 2026 ว่า Hybrid Bonding มีแนวโน้มยังไม่พร้อมสำหรับ HBM4E และอาจเริ่มถูกนำมาใช้ตั้งแต่ HBM5 เป็นอย่างเร็ว ส่งผลให้ความคาดหวังต่อการเปลี่ยนเทคโนโลยีแพ็กเกจถูกเลื่อนออกไป
· ข่าวดังกล่าวกดดันหุ้น BE Semiconductor Industries (BESI) ซึ่งปรับตัวลงสูงสุด 5.2% เนื่องจากบริษัทเป็นหนึ่งในผู้ผลิตเครื่องจักรสำคัญสำหรับ Hybrid Bonding และตลาดเคยคาดว่าการใช้งานใน HBM จะเกิดเร็วกว่าเดิม
· ความกังวลนี้ไม่ใช่เรื่องใหม่ โดยหุ้น BESI ลดลงราว 38% จากจุดสูงสุดเดือน มิ.ย. หลังตลาดเริ่มตั้งคำถามว่าต้นทุนของ Hybrid Bonding อาจทำให้ผู้ผลิตหน่วยความจำยังไม่รีบนำมาใช้

3. MR-MUF ยังรองรับ HBM รุ่นปัจจุบันได้ ทำให้ไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนทันที

· ปัจจุบัน SK Hynix ใช้เทคโนโลยี MR-MUF เป็นหลักในการประกอบ HBM ซึ่งมีข้อดีด้านกำลังการผลิตสูงและการระบายความร้อนที่ดี แม้จะมีข้อจำกัดเรื่องการโก่งตัวของชิปและการเติมช่องว่างระหว่างชั้น
· บริษัทสามารถพัฒนา MR-MUF ให้รองรับ HBM3E แบบ 16 ชั้น ได้แล้ว โดยลดความหนาของชิป ลดช่องว่างระหว่างชั้น และลดระยะห่างของจุดเชื่อมต่อ ทำให้เทคโนโลยีเดิมยังมีพื้นที่พัฒนาต่อก่อนจำเป็นต้องเปลี่ยนไป Hybrid Bonding
· สำหรับ HBM4 รุ่น 16 ชั้น ข้อจำกัดสำคัญคือความสูงรวมของแพ็กเกจที่ประมาณ 775 ไมครอน ทำให้การเพิ่มจำนวนชั้นต่อไปต้องลดความหนาของชิปและช่องว่างมากขึ้น ซึ่งเป็นเหตุผลที่ Hybrid Bonding จะมีความจำเป็นมากขึ้นใน HBM รุ่นถัดไป

4. ความต้องการ Hybrid Bonding ไม่ได้หายไป แต่ถูกเลื่อนออกไป

· ปัญหาหลักของ HBM รุ่นใหม่คือการใช้พลังงาน ความร้อน และพื้นที่ของช่องเชื่อมต่อ TSV ที่เพิ่มขึ้นตามความต้องการแบนด์วิดท์ โดย SK Hynix ระบุว่าการเพิ่มแบนด์วิดท์เกือบเท่าตัวทุกสองรุ่นสร้างภาระด้านความร้อนเพิ่มขึ้นราว 2.2 เท่า
· Hybrid Bonding สามารถช่วยให้ระยะเชื่อมต่อแคบลง ใช้ชิปที่หนาขึ้นได้ และระบายความร้อนได้ดีขึ้น โดยข้อมูลของ SK Hynix ระบุว่าความต้านทานความร้อนอาจลดลงประมาณ 35% แม้จำนวนชั้นเพิ่มขึ้น
· ดังนั้น การชะลอครั้งนี้จึงสะท้อนว่า MR-MUF ยังเพียงพอสำหรับ HBM4E มากกว่าจะหมายความว่า Hybrid Bonding สูญเสียความสำคัญ โดยเมื่อ HBM ขยับไปมากกว่า 16–20 ชั้น ความจำเป็นของเทคโนโลยีดังกล่าวมีแนวโน้มเพิ่มขึ้นอีกครั้ง

5. SK Hynix มองไกลไปถึง HBM แบบ 3 มิติ และการรวมหน่วยความจำกับชิป AI ใกล้ขึ้น

· แผนระยะยาวของ SK Hynix ไม่ได้หยุดอยู่แค่การเพิ่มจำนวนชั้นของ HBM แต่กำลังมุ่งสู่โครงสร้าง 3 มิติ ซึ่งในอนาคตอาจวาง HBM ซ้อนอยู่บนชิปประมวลผลโดยตรง เพื่อลดระยะการส่งข้อมูลและเพิ่มประสิทธิภาพระบบ
· บริษัทกำลังพัฒนาแนวทางลดจุดความร้อนเฉพาะตำแหน่งผ่านเทคโนโลยี I-HBM ซึ่งสามารถลดความต้านทานความร้อนเพิ่มเติมได้มากกว่า 30% สะท้อนว่าการจัดการความร้อนกำลังกลายเป็นหัวใจสำคัญพอๆ กับการเพิ่มความเร็วของหน่วยความจำ
· นอกจากนี้ SK Hynix ยังแสดงเทคโนโลยีแพ็กเกจ 2.5 มิติหลายรูปแบบ รวมถึง Intel EMIB และตระกูล CoWoS สะท้อนว่าอุตสาหกรรมมีแนวโน้มใช้หลายเทคโนโลยีร่วมกัน มากกว่าจะพึ่งวิธีใดวิธีหนึ่ง

หุ้นเด่นจากเทคโนโลยีใหม่ของ SK Hynix

ช่วงเทคโนโลยี	บริษัทที่ได้ประโยชน์	เหตุผล
MR-MUF / HBM4–HBM4E	Hanmi Semiconductor	ได้ประโยชน์ชัดจากเครื่อง TC Bonder สำหรับการซ้อนชิป HBM โดยล่าสุดได้คำสั่งซื้อ HBM4 จาก SK Hynix มูลค่า KRW44.2bn
	ASMPT	เป็นอีกผู้ผลิตเครื่อง Bonding ที่ SK Hynix ใช้ เพื่อกระจายฐานผู้ผลิตอุปกรณ์ จึงได้ประโยชน์จากการเพิ่มกำลังผลิต HBM
	Hanwha Semitech	เป็นผู้เล่น TC Bonder อีกรายที่ SK Hynix เพิ่มเข้ามาในฐานผู้ผลิต ทำให้ได้ประโยชน์จากการเพิ่มกำลังผลิต HBM4
iHBM / การจัดการความร้อน	ผู้ผลิตวัสดุระบายความร้อนและวัสดุแพ็กเกจ	iHBM ฝังวัสดุนำความร้อนแต่ไม่นำไฟฟ้าไว้ในแพ็กเกจ ทำให้ความต้องการวัสดุจัดการความร้อนมีความสำคัญเพิ่มขึ้น โดย SK Hynix ระบุว่าสามารถลดความต้านทานความร้อนได้มากกว่า 30%
Hybrid Bonding / HBM5	BESI	เป็นหนึ่งในผู้ได้ประโยชน์หลักเมื่อ Hybrid Bonding เริ่มใช้จริง เพราะมีเครื่องจักรสำหรับเชื่อมเวเฟอร์/ชิปแบบความหนาแน่นสูง แต่รายได้อาจถูกเลื่อนออกไปจาก HBM4E ไป HBM5
	Applied Materials (AMAT)	มีเทคโนโลยีกระบวนการเตรียมพื้นผิวและการผลิตที่ใช้ร่วมกับ Hybrid Bonding และมีการพัฒนาโซลูชันร่วมกับ BESI สำหรับ HBM รุ่นใหม่
	ASMPT	มีโอกาสขยายจาก TC Bonding ไปสู่เครื่องจักรแพ็กเกจขั้นสูงและ Hybrid Bonding ในอนาคต
2.5D / 3D Integration	Intel	SK Hynix กำลังประเมิน EMIB สำหรับการเชื่อม HBM กับชิปประมวลผล เป็นทางเลือกเพิ่มเติมจาก CoWoS หากนำไปใช้จริงจะช่วยเพิ่มปริมาณงานแพ็กเกจขั้นสูงของ Intel
	TSMC	CoWoS ยังคงเป็นแพลตฟอร์มหลักในการนำ HBM มารวมกับ GPU/AI Accelerator และการเพิ่ม HBM ต่อชิปยิ่งหนุนความต้องการแพ็กเกจขั้นสูง
	BESI / AMAT	หากอุตสาหกรรมเดินไปสู่การวาง HBM ซ้อนใกล้หรือบนตัวประมวลผลโดยตรง ความต้องการ Hybrid Bonding และการเชื่อมต่อแบบละเอียดจะเพิ่มขึ้นมาก

มุมมองของ InnovestX

เรามองประเด็นนี้ เป็นลบระยะสั้นต่อ BESI และผู้ผลิตเครื่องจักรที่มีรายได้ผูกกับการเร่งใช้ Hybrid Bonding เพราะจุดเริ่มต้นของรายได้จาก HBM อาจถูกเลื่อนไปถึงยุค HBM5 ขณะที่ผู้ผลิตที่เกี่ยวข้องกับเทคโนโลยีแพ็กเกจปัจจุบันอย่าง MR-MUF และกระบวนการประกอบ HBM ยังมีโอกาสได้รับคำสั่งซื้อต่อเนื่องนานขึ้น อย่างไรก็ตาม ภาพระยะกลาง-ยาวยังเป็นบวกต่อห่วงโซ่แพ็กเกจขั้นสูง เพราะการเพิ่มจำนวนชั้น แบนด์วิดท์ และความหนาแน่นของ HBM จะทำให้ Hybrid Bonding รวมถึงโครงสร้าง 3 มิติกลายเป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงได้ยาก
ถ้ามองจาก เทคโนโลยีใหม่ของ SK Hynix ตั้งแต่ MR-MUF → iHBM → Hybrid Bonding → 3D Integration ผู้ได้ประโยชน์ในห่วงโซ่จะแตกต่างกันตามช่วงเวลา โดยระยะสั้นยังได้ประโยชน์จากการยืดอายุเทคโนโลยีเดิม ส่วน Hybrid Bonding จะเด่นขึ้นเมื่อเข้าสู่ HBM5 คือ 1) ระยะสั้น 2026–28: Hanmi Semiconductor, ASMPT, Hanwha Semitech เพราะ SK Hynix ยังใช้ MR-MUF และ TC Bonding ต่อ ทำให้เครื่องจักรเดิมมีอายุการใช้งานยาวกว่าที่ตลาดเคยคาด โดยเฉพาะ Hanmi ที่มีคำสั่งซื้อ HBM4 ยืนยันแล้ว และความต้องการ TC Bonder ยังเพิ่มตาม HBM แบบ 12–16 ชั้น 2) ระยะกลาง-ยาวตั้งแต่ HBM5: BESI และ AMAT น่าสนใจที่สุด เพราะเมื่อจำนวนชั้น HBM สูงขึ้น ข้อจำกัดด้านความร้อน ความหนา และระยะเชื่อมต่อจะทำให้ Hybrid Bonding มีความจำเป็นมากขึ้น แม้การนำมาใช้จะถูกเลื่อนออกไปก็ตาม

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน