Café Invest
Markets

ราคา Memory เดือน ก.ย. ชะลอ แต่แนวโน้มราคายังเป็นขาขึ้น

ราคา Memory เดือน ก.ย. ชะลอ แต่แนวโน้มราคายังเป็นขาขึ้น

ราคาหน่วยความจำเดือน ก.ย. เริ่มชะลอ แต่แนวโน้ม 4Q26 ยังแข็งแรงจากอุปสงค์ AI และการโยกกำลังผลิตไปยัง HBM ซึ่งทำให้อุปทาน DRAM ตึงตัวมากขึ้น เรามองว่ายังเป็นบวกต่อกลุ่ม Memory โดยเฉพาะ SK hynix, Samsung Electronics และ Micron (MU) ที่มีความเชื่อมโยงกับ HBM, Server DRAM และ Enterprise SSD สูง

1. ภาพรวมอุตสาหกรรม: ราคาชะลอในเดือน ก.ย. แต่แนวโน้มหลักยังเป็นบวก

ตลาดหน่วยความจำในเดือน ก.ย. 2026 เริ่มเห็นการปรับขึ้นของราคาที่ช้าลงเมื่อเทียบกับช่วงก่อนหน้า โดยราคา DDR5 แบบสัญญาเพิ่มขึ้น 1% MoM หลังเพิ่ม 2% ในเดือน ส.ค. และ 18% ในเดือน ก.ค. ขณะที่ราคา NAND ขนาด 1Tb ทรงตัวต่อเนื่องเป็นเดือนที่สอง ภาพดังกล่าวสะท้อนว่าการปรับขึ้นของราคาในระยะสั้นไม่ได้เกิดขึ้นอย่างสม่ำเสมอในทุกผลิตภัณฑ์ โดยเฉพาะกลุ่มที่อิงกับสมาร์ตโฟน พีซี และอุปกรณ์ผู้บริโภคระดับกลางและล่าง ซึ่งอุปสงค์ยังไม่แข็งแรงมากนัก

แนวโน้มยอดขายสมาร์ตโฟนรายเดือน

อย่างไรก็ตาม การชะลอตัวของราคาในเดือน ก.ย. ยังไม่ใช่สัญญาณว่ารอบขาขึ้นของอุตสาหกรรมสิ้นสุดลง เนื่องจากโครงสร้างอุปสงค์กำลังเปลี่ยนจากอุปกรณ์ผู้บริโภคไปสู่โครงสร้างพื้นฐาน AI มากขึ้น ขณะที่สัญญาระยะยาวมีสัดส่วนเพิ่มขึ้นและช่วยลดความผันผวนของราคารายเดือน จึงทำให้ราคามีแนวโน้มปรับขึ้นในลักษณะที่ค่อยเป็นค่อยไปมากกว่าการเร่งตัวในทุกเดือน

แนวโน้มราคาสัญญาหน่วยความจำรายเดือน

2. AI กลายเป็นแรงขับเคลื่อนหลักของความต้องการ DRAM

ปัจจัยสำคัญที่สุดที่สนับสนุนตลาด DRAM คือการขยายตัวของ AI Infrastructure โดยเฉพาะการเปลี่ยนผ่านจาก HBM3E ไปสู่ HBM4 ซึ่งใช้เวเฟอร์มากกว่าหน่วยความจำ DRAM มาตรฐานอย่างมีนัยสำคัญ โดย HBM4 ต้องใช้เวเฟอร์ประมาณ 4 เท่าของ DRAM ปกติ เทียบกับ HBM3E ที่ใช้ประมาณ 3 เท่า ทำให้เมื่อผู้ผลิตจัดสรรกำลังการผลิตไปยัง HBM มากขึ้น ปริมาณกำลังการผลิตที่เหลือสำหรับ Conventional DRAM จะลดลงตามไปด้วย

แนวโน้มดังกล่าวมีความสำคัญต่อโครงสร้างอุตสาหกรรม เพราะหมายความว่าแม้อุปสงค์จากพีซีและสมาร์ตโฟนไม่ได้ฟื้นตัวมาก แต่ตลาด DRAM ยังสามารถรักษาความตึงตัวของอุปทานได้จากการโยกกำลังการผลิตไปยัง HBM ขณะเดียวกัน Bloomberg ประเมินว่าการใช้งาน AI inference และ AI agent ที่เพิ่มขึ้นจะทำให้ความต้องการหน่วยความจำในศูนย์ข้อมูลเพิ่มขึ้นต่อเนื่อง และอาจช่วยให้ราคาหน่วยความจำอยู่ในทิศทางขาขึ้นไปถึงปี 2028

3. PC DRAM: ลูกค้าเร่งซื้อก่อนอุปทานตึงในปี 2027

สำหรับ PC DRAM ภาพราคาใน 4Q26 ยังแข็งแรงกว่าที่ตัวเลขเดือน ก.ย. สะท้อน โดย TrendForce คาดว่าราคาจะเพิ่มขึ้น 13–18% QoQ

แรงสนับสนุนสำคัญมาจากผู้ผลิตพีซีที่เร่งจัดซื้อสินค้าในช่วง 4Q26 เพราะกังวลว่าอุปทานในปี 2027 จะลดลง โดยเฉพาะหลังผู้ผลิตหน่วยความจำจัดสรรกำลังการผลิตไปยัง Server DRAM และ HBM มากขึ้น ขณะที่ในเดือน ก.ย. ราคา DDR4 8GB เพิ่ม 4% MoM เป็น $148 แต่ DDR5 8GB ทรงตัวที่ $133 ทำให้ DDR5 มีส่วนลดเมื่อเทียบกับ DDR4 ประมาณ 10% จาก 6% ในเดือนก่อน

ภาพนี้สะท้อนว่าโครงสร้างราคาของหน่วยความจำพีซียังอยู่ในภาวะผิดปกติจากข้อจำกัดด้านอุปทานของ DDR4 มากกว่าการฟื้นตัวของอุปสงค์ปลายทางเพียงอย่างเดียว ดังนั้นการเพิ่มขึ้นของราคาจึงควรมองควบคู่กับความเสี่ยงที่ต้นทุนหน่วยความจำสูงขึ้นอาจกดดันผู้ผลิตพีซีในระยะถัดไป

4. Server DRAM: จุดแข็งหลักของรอบราคาปัจจุบัน

Server DRAM ยังคงเป็นหนึ่งในกลุ่มที่มีพื้นฐานแข็งแรงที่สุด โดย TrendForce คาดว่าราคาใน 4Q26 จะเพิ่มขึ้น 10–15% QoQ ขณะที่ราคา DDR5 64GB เพิ่มขึ้น 1% MoM ในเดือน ก.ย. เป็น $1,515 และมีส่วนเพิ่มเมื่อเทียบกับ DDR4 อยู่ที่ 17% จาก 16% ในเดือน ส.ค.

ประเด็นที่สำคัญคือการขึ้นราคาจะเด่นกว่าสำหรับคำสั่งซื้อที่เจรจาเป็นรายไตรมาส เมื่อเทียบกับสัญญาระยะยาว ซึ่งสะท้อนว่าอุปสงค์ส่วนเพิ่มจากศูนย์ข้อมูลและเซิร์ฟเวอร์ AI ยังมีความแข็งแรงมากพอที่จะผลักดันราคาได้ ขณะที่ TrendForce ยังประเมินว่าราคา Server DRAM จะเพิ่มอีก 3–8% QoQ ใน 1Q27

ในเชิงโครงสร้าง เรามองว่า Server DRAM จะเป็นหนึ่งในผลิตภัณฑ์ที่ช่วยรักษาอัตรากำไรของผู้ผลิตหน่วยความจำได้ดีที่สุด เนื่องจากมีทั้งอุปสงค์จากศูนย์ข้อมูลทั่วไปและจาก AI เข้ามาสนับสนุนพร้อมกัน

5. Mobile DRAM: ยังเป็นส่วนที่อ่อนกว่ากลุ่มอื่น

ตรงกันข้ามกับ Server DRAM กลุ่ม Mobile DRAM ยังมีแนวโน้มฟื้นตัวช้ากว่า โดย TrendForce คาดราคาปรับขึ้นเพียง 0–5% QoQ ใน 4Q26

สาเหตุหลักมาจากยอดผลิตสมาร์ตโฟนที่ยังถูกกดดันจากต้นทุน LPDDR ที่สูง ขณะที่ผู้ผลิตหน่วยความจำบางส่วนโยกกำลังการผลิตจาก Mobile DRAM ไปยัง Server DRAM ทำให้ด้านหนึ่งอุปทานลดลง แต่อีกด้านหนึ่งต้นทุนที่สูงขึ้นกลับกระทบความต้องการปลายทาง อย่างไรก็ดี TrendForce คาดว่าราคา LPDDR5X อาจเพิ่ม 13–18% QoQ ใน 1Q27 และ LPDDR4X เพิ่ม 5–10% QoQ ซึ่งสะท้อนว่าความตึงตัวของอุปทานอาจชัดขึ้นในต้นปีหน้า

ดังนั้น Mobile DRAM ยังไม่ใช่แรงขับเคลื่อนหลักในระยะสั้น แต่มีโอกาสกลับมามีบทบาทมากขึ้นในปี 2027 หากข้อจำกัดด้านอุปทานรุนแรงขึ้น

6. NAND: จุดเปลี่ยนสำคัญอยู่ที่ Enterprise SSD

ฝั่ง NAND แม้ราคาในเดือน ก.ย. ยังทรงตัว แต่แนวโน้มใน 4Q26 กลับแข็งแรงกว่าที่ตลาดบางส่วนคาดอย่างชัดเจน โดย TrendForce คาด NAND ASP เพิ่มขึ้น 15–20% QoQ

แรงสนับสนุนหลักมาจาก Enterprise SSD ซึ่งคาดว่าราคาจะเพิ่มถึง 23–28% QoQ ขณะที่ Client SSD และ eMMC/UFS คาดเพิ่มเพียง 5–10% QoQ เนื่องจากผู้ผลิตพีซีและสมาร์ตโฟนยังมีสินค้าคงคลังค่อนข้างเพียงพอสำหรับการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปี

ในระยะยาว NAND มีโอกาสได้รับแรงหนุนจาก AI เช่นกัน เนื่องจากแบบจำลองที่มีขนาดใหญ่ขึ้นและบริบทที่ยาวขึ้นทำให้ความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลเพิ่มขึ้น โดย Bloomberg ประเมินว่าความต้องการพื้นที่จัดเก็บที่เกี่ยวข้องกับ KV-cache อาจเพิ่มขึ้นถึง 2.6 zettabytes ภายในปี 2030

7. ภาพรวม 4Q26: ราคาหลายผลิตภัณฑ์สูงกว่าที่คาด

หากพิจารณาทั้งอุตสาหกรรมร่วมกัน จุดที่สำคัญที่สุดคือประมาณการราคาของ TrendForce สำหรับ 4Q26 อยู่ในระดับสูง

TrendForce คาด Conventional DRAM เพิ่มขึ้น 10–15% QoQ ขณะที่ NAND เพิ่ม 15–20% QoQ และ Enterprise SSD เพิ่ม 23–28% QoQ ทำให้มีโอกาสที่รายได้และอัตรากำไรของผู้ผลิตหน่วยความจำใน 4Q26 จะได้รับแรงหนุนจากราคาขายเฉลี่ยมากกว่าที่ตลาดเคยตั้งสมมติฐานไว้

อย่างไรก็ดี การเพิ่มขึ้นของราคาไม่ได้เกิดจากอุปสงค์ที่แข็งแรงทุกตลาด แต่เป็นผลผสมระหว่างอุปสงค์ AI ที่สูง การโยกกำลังการผลิตไปยัง HBM และการเร่งจัดซื้อก่อนอุปทานตึงตัวมากขึ้นในปี 2027 จึงยังต้องติดตามว่าผู้ผลิตอุปกรณ์ปลายทางจะสามารถรับต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นได้มากเพียงใด

8. มุมมองของ INVX

เรามองว่าการลงทุนในกลุ่ม Memory ควรให้น้ำหนักกับบริษัทที่มีสัดส่วนรายได้จาก HBM, Server DRAM และ Enterprise SSD สูง เนื่องจากเป็นกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่ได้รับแรงสนับสนุนจาก AI โดยตรงและมีแนวโน้มราคาที่แข็งแรงกว่าฝั่งผู้บริโภค ขณะที่การปรับขึ้นของราคาหน่วยความจำใน 4Q26 ที่อยู่ในระดับสูงอาจเป็นปัจจัยสนับสนุนการปรับประมาณการกำไรของผู้ผลิตหลักในระยะถัดไป

สำหรับหุ้นรายตัว เรามอง SK hynix เด่นที่สุดในด้านความเชื่อมโยงกับ AI และ HBM ขณะที่ Samsung Electronics ได้ประโยชน์จากการฟื้นตัวของราคาหน่วยความจำในวงกว้างกว่า และยังมีโอกาสเพิ่มส่วนแบ่งใน HBM หากการพัฒนาผลิตภัณฑ์เดินหน้าได้ตามแผน ส่วน Micron (MU) เป็นอีกบริษัทที่ได้ประโยชน์จากวัฏจักร Memory ขาขึ้นผ่านทั้ง DRAM, HBM และ NAND โดยเฉพาะหากราคาขายเฉลี่ยของ Server DRAM และ Enterprise SSD ปรับขึ้นต่อเนื่อง จะช่วยหนุนรายได้และอัตรากำไรได้เพิ่มเติม ทั้งสามบริษัทจึงเป็นหุ้นหลักที่ได้รับประโยชน์จากวัฏจักร Memory รอบปัจจุบัน ขณะที่ปัจจัยที่ต้องติดตามยังอยู่ที่ความแข็งแรงของการลงทุน AI การเพิ่มกำลังการผลิตของอุตสาหกรรม และความสามารถของตลาดพีซีและสมาร์ตโฟนในการรับต้นทุน Memory ที่สูงขึ้น

ข้อสงวนสิทธิ์
ข้อมูล ความเห็น บทวิเคราะห์ ราคา การคาดการณ์ และ/หรือ ข้อมูลอื่นใด (“ข้อมูล”) ที่ปรากฏ จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ในการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น โดยมีที่มาจากแหล่งข้อมูลสาธารณะที่เชื่อว่าเชื่อถือได้ บริษัทหลักทรัพย์ อินโนเวสท์ เอกซ์ จำกัด (“INVX”) ไม่รับรองความถูกต้อง ครบถ้วน หรือความเป็นปัจจุบันของข้อมูลดังกล่าว โดยเป็นข้อมูล ณ วันที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า ข้อมูลนี้ไม่ถือเป็นการรับประกันราคาหรือผลตอบแทน คำแนะนำการลงทุน การเสนอซื้อหรือขายหลักทรัพย์ หรือชักชวนให้เสนอซื้อหรือเสนอขายหลักทรัพย์ใด INVX และ/หรือ กรรมการ พนักงาน และลูกจ้างของ INVX ไม่รับผิดชอบต่อความเสียหายอันเป็นผลมาจากหรือเกี่ยวข้องกับการใช้ข้อมูลดังกล่าว

INVX และธนาคารไทยพาณิชย์ จำกัด (มหาชน) (“ธนาคารฯ”) เป็นบริษัทย่อยที่บริษัท เอสซีบี เอกซ์ จำกัด (มหาชน) (SCBX) เป็นผู้ถือหุ้นรายใหญ่ ข้อมูลที่เกี่ยวข้องกับธนาคารฯ มีวัตถุประสงค์เพื่อใช้ในการเปรียบเทียบเท่านั้น INVX และ/หรือ บริษัทในเครือ SCBX อาจเป็นที่ปรึกษาทางการเงิน ผู้จัดจำหน่ายหลักทรัพย์ ผู้ออกและเสนอขายหุ้นกู้ที่มีอนุพันธ์แฝง หรือ ตราสารแสดงสิทธิการฝากหลักทรัพย์ต่างประเทศ บนหลักทรัพย์ที่ปรากฏอยู่ในรายงานฉบับนี้ รวมถึงอาจมีการทำธุรกรรมอื่นใดในหลักทรัพย์ที่ถูกกล่าวถึง อันอาจก่อให้เกิดความขัดแย้งทางผลประโยชน์ได้ ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยง ก่อนตัดสินใจลงทุน